Teknoloji

GaN teknolojisinde büyük atılım: 4.000 Volt’a dayanan transistör geliştirildi

İsviçre’deki araştırmacılar, galyum nitrat (GaN) tabanlı güç elektroniğinde önemli bir sınırı aşmayı başardı. Geliştirilen yeni transistör, 4 kV gerilime dayanırken düşük elektrik direncini koruyor.

İlgili Makaleler

Bir yanıt yazın

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Başa dön tuşu