2 boyutlu kuantum bellek cihazı, bilgi depolamada tek elektron sınırına ulaştı.
2 boyutlu kuantum bellek cihazı, bilgi depolamada tek elektron sınırına ulaştı.
Çoğu elektronik bellek depolama cihazı, her bir bellek biti için çok sayıda elektronu yakalama yeteneği gerektirir. Ancak ideal bir dünyada, yalnızca bir elektron yeterli olurdu. Bu, cihazlar için gereken alanı ve güç tüketimini azaltırdı. Şimdi, Çin’deki bir ekip, önceki girişimlerde sorun yaratan kaçak kapasitansı en aza indirgeyebilen ultra ince bir cihazla bu hedefi gerçekleştirdi. Science dergisinde yayınlanan yeni çalışma, bu yeni cihazın tek elektronlu tasarımın uygulanmasındaki zorlukların üstesinden nasıl geldiğini açıklıyor.
Most electronic memory storage devices require the ability to trap large numbers of electrons for each bit of memory. In an ideal world, however, it would take only one electron. This would reduce space requirements and power consumption for devices. Now, a team in China has realized this goal with an ultrathin device capable of minimizing the stray capacitance that plagued earlier attempts. The new study, published in Science, describes how this novel device has overcome challenges in implementing the single-electron design.
